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国内90nm闪存烧录:10万次数使用寿命 25年统计数据储存

发布时间:2019-10-14 11:49:54   来源:新浪科技_新浪网    作者: 山西省临汾市  
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  我国历年進口使用价值1000亿美金的存储芯片,NAND闪存及DRAM运行内存必须依靠進口,现阶段国内闪存芯片的期待就是说紫光集团在武汉市及成都市多处分别项目投资240亿美金的存储芯片产业基地了,但是真实经营规模烧录还必须1年乃至更长期。

  现阶段中国也是某些企业产品研发了用以特殊制造行业的闪存芯片,例如兆易创新的NOR闪存,别的也有某些内嵌式闪存。上海市华虹半导体今日公布其三代90 纳米技术内嵌式闪存(90nm eFlash)加工工艺服务平台已取得成功保持烧录。

  依据华虹材料,华虹半导体始终深耕细作内嵌式非挥发物存储芯片技术性行业,根据持续的技术革新,三代90纳米技术内嵌式闪存加工工艺服务平台的Flash元胞规格较第2代加工工艺变小近40%,创下全世界圆晶代工企业90纳米技术加工工艺连接点内嵌式闪存技术性的最少规格记录。Flash IP具备更显著的总面积优点,促使集成ic总体总面积深化减少,进而在片式圆晶上得到大量裸集成ic总数。此外,光罩叠加层数随之深化降低,合理减少了流片周期时间。而可靠性指标继续保持着高水平,可超过10万次数擦写及25年统计数据维持工作能力。

  近些年,华虹半导体在90纳米技术加工工艺连接点持续取得成功发布第三代闪存加工工艺服务平台,在维持技术性优点的另外,持续探索更性价比高的解决方法。三代加工工艺服务平台的规模性平稳烧录,为电信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片商品及其微处理器(MCU)等多样化商品出示不断平稳的适用和解决方法。

  华虹半导体实行高级副总裁孔蔚然博士研究生表达:“华虹半导体是内嵌式非易失性存储器技术性的开拓者,将来将再次聚焦点200mm多元化技术性的产品研发自主创新,朝向致密智能卡与高档微处理器销售市场,另外持续着眼于在功率和总面积层面出示明显的提升,将200mm目前的技术性优点向300mm拓宽,尽快服务项目世界各国半导体芯片工程设计公司,考虑市场的需求。”

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网友评价

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哈哈 写的 非常棒

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非常用心 学习了

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挺好的

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原来如此 谢谢

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